Цены снижены! Бесплатная доставка контурной маркировки по всей России

8 4: Смартфон Xiaomi Redmi 8 4/64 Gb (Global, красный/Ruby Red): характеристики и инструкция

Содержание

Смартфон Xiaomi Redmi 8 4/64 Gb (Global, красный/Ruby Red): характеристики и инструкция

Смартфон Xiaomi Redmi 8 4/64 Gb (Global, красный/Ruby Red)

3 дня на одной зарядке!

Забудьте о поиске розеток

За счет энергоемкого аккумулятора на 5000 мАч Redmi 8 без труда сохраняет полную работоспособность в течение 3 дней. Больше не нужно переживать, что смартфон разрядится в самый неподходящий момент!

Оптимизированная система энергосбережения MIUI

Глубокая оптимизация для длительного времени работы

Быстрая зарядка мощностью 18 Вт

Всего 2.2 часа до полного аккумулятора

Смартфон поддерживает технологию быстрой зарядки мощностью 18 Вт. Чуть больше чем за 2 часа аккумулятор устройства будет полностью заряжен и готов к новым свершениям!

Корпус из трехмерного стекла

Превосходный дизайн — отличительная черта смартфонов Redmi, главная цель которых — ни в чем не уступать флагманам. Тыльная поверхность защищена особым стеклом, способствующим смешению цветов и созданию великолепных переливов.

Широкий дисплей диагональю 6.22″

Экран с технологией защиты зрения

Безопасный уровень синего излучения, подтвержденный немецким сертификатом TÜV.

Большой динамик с мощным усилителем

Вся мощность Bluetooth-колонки прямо в кармане

Мощный динамик Redmi 8 не уступает в качестве воспроизведения звука переносным портативным колонкам. Больше не нужно носить с собой дополнительные устройства для прослушивания музыки в компании!

Громкий разговорный динамик

Четко слышно даже в оживленной среде

Разговорный динамик высокого качества обеспечивает отличное шумоподовление во время проведения разговора. Оставайтесь на связи с близкими в любой ситуации!

Двойная камера разрешением 12 Мп

Основная камера смартфона прекрасно справится с портретами, пейзажами и даже ночными съемками.

Умная фронтальная камера

Чтобы передать красоту в каждом снимке

8-ядерный Qualcomm Snapdragon

Потянет самые требовательные сетевые игры

Qualcomm Snapdragon 439 с максимальной частотой процессора 1.95 ГГц обеспечивает достойную работу Redmi 8 при запуске «тяжелых» игр и приложений.

Главные характеристики

Основные характеристики

Память и процессор

Мультимедийные возможности

Подключение

Экран

Связь

Общие характеристики

Аккумулятор и Питание

Дополнительно

Датчики

Главные характеристики

Гарантия

2 года

Глобальная версия

Да

Оболочка

Android, MIUI

Производитель

Redmi

Покрытие

Gorilla Glass 5

Размеры

156. 48 х 75.41 х 9.4 мм

Основные характеристики

Влагозащита

P2i (гидрофобное покрытие)

Память и процессор

Объем оперативной памяти

4 ГБ

Объем встроенной памяти

64 ГБ

Процессор

Qualcomm Snapdragon 439

Количество ядер процессора

8

Макс. частота процессора

1.95 ГГц

Техпроцесс

12 нм

Видеопроцессор

Qualcomm Adreno 505

Частота графического процессора

650 МГц

Поддержка карт памяти

Да, до 512 ГБ

Мультимедийные возможности

Основная камера

Двойная камера

Особенности основной камеры

12 Мп (f/1.

8, 1.4μm) + 2 Мп

Фронтальная камера

8 Мп

Особенности фронтальной камеры

1.12 μm, F/2.0

Поддерживаемые форматы

MP4, FLV, PCM, FLAC, AAC, MP3, AMR, PCM, AAC, AAC+, MP3

Макс. разрешение видео

[email protected]

Подключение

Выход аудио/наушники

3.5 мм

Экран

Диагональ (дюйм)

6.22

Разрешение экрана

1520 х 720

Соотношение сторон

19. 5:9

Число пикселей на дюйм (PPI)

270

Связь

Версия Bluetooth

4.2

Wi-Fi

802.11 b/g/n, 2.4 ГГц

Наличие NFC

Нет

Спутниковая навигация

GPS, A-GPS, GLONASS, Beidou

Общие характеристики

Контрастность

1500:1

Тип SIM-карты

Nano-SIM x2 + Micro-SD (2 + 1)

Количество SIM-карт

2

Режим работы нескольких SIM-карт

Попеременный

Аккумулятор и Питание

Объём аккумулятора (mAh)

5000

Тип разъема для зарядки

Type-C

Поддержка быстрой зарядки

Есть

Беспроводная зарядка

Нет

Дополнительно

Особенности

FM-радио, ИК-порт, Face Unlock

Дата анонсирования

09. 10.2019

Датчики

Сканер отпечатков пальцев

Есть

Датчики

Акселерометр, датчик приближения, датчик освещенности, компас

Технические характеристики и комплектации товара могут
быть изменены без уведомления со стороны производителя

Валерия

11 марта 2020

ДостоинстваОтличный смарфтон за эту цену, большая диагональ,в руке удобно лежит, к телефону прилагается чехол в тон, что тоже очень порадовало. И самое главное — аккумулятор действительно держит 3 дня после зарядки при активном использовании. Покупкой довольна

Недостаткине обнаружено

Комментарий№ Заказа: #449138

Вам понравился отзыв?

15

0

Лутцев вадим сергеевич

27 марта 2020

ДостоинстваДостоинств очень много,при относительно дешевой цене,во первых, это аккумулятор емкостью 5000амперчасов,2. хорошая камера 3.Очень продуманная оболочка ,очень удобная,особенно если включить режим свайпов,наэкранные кнопки ни нагружают,а все свайпы делаются 1 пальцем. Скажу одно,покупал жене ,на быструю замену,и очень удивился. Сам захотел такой же,ей брал красный,себе хочется черный. Реально хороший смартфон ,камера,память,объем хранилища…. Нет слов ,а самое главное брал по акции всего за 8999 в ,хотя и 12000 в обычном магазине ни жалко,жена после айфона 7 ,очень рада,забыла о слове зарядка по 2 раза в день совсем,хватает при ее потребности,звонки,немного соцсетей на 3 суток

НедостаткиПри такой цене и качестве аппарата их нет,но 1 против скажу,ребят,ну накиньте лучше 100-300руб к цене ,но положите в комплект стекло защитное,ну или на заводе его сразу прилепите,хотя это ни недостаток ,а всего лишь пожелание. На вид за 3 месяца использования ни одной царапки ни увидел

КомментарийОтличный аппарат,хочу себе такой же,только черный

Вам понравился отзыв?

7

0

Чумаков Александр Александрович

06 марта 2020

ДостоинстваАвтономность, великолепно лежит в руке, надёжный, главное не дорогой.

НедостаткиКритических недостатков не имеет, есть только неудобства с отсутствием индикатора событий.

КомментарийТри месяца в использовании, все устраивает, вполне мощный и надежный бюджетник.

Вам понравился отзыв?

3

0

Михаил

10 июня 2020

ДостоинстваТелефон супер. Заряд, при активном использовании, держит около трех дней. Отлично лежит в руках. Довольно яркий экран. Камера снимает достаточно хорошо. Снимал на максимуму 8х кратном приближении. Снимки, очень хорошего качества.

НедостаткиПока не обнаружил.

КомментарийЗа эти деньги, шикарный аппарат. 5000мп, аккумулятор. Большой дисплей. 4гига озу, 64 внутренней. Можно поставить одновременно две симки и карту памяти до 512гб. Советую.

Вам понравился отзыв?

2

0

Сиверкина Мария Игоревна

17 ноября 2020

Достоинствакрасивый удобный быстрый

Недостаткинет

Комментарийпокупала маме в подарок, все остались довольны

Вам понравился отзыв?

0

0

Владимир

19 сентября 2020

ДостоинстваАккумулятор на 5000 а. ч., достаточно яркий экран

НедостаткиНа задней панели телефона остается очень много отпечатков

КомментарийВсе хвалят аккумулятор и он действительно очень хорош. Телефон держит заряд 2 дня без проблем. Камера не плохая, в целом за эти деньги аппарат достойный. № заказа OC-529594 от 2020-09-16

Вам понравился отзыв?

0

0

Владимир

19 сентября 2020

ДостоинстваВсе хвалят аккумулятор и он действительно очень достойный. Телефон держит заряд 2-3 дня без проблем. По железу вопросов нет, за свою цену отличный аппарат.

НедостаткиНа задней панели телефона остается очень много отпечатков.

КомментарийТелефон достойный, однозначно можно брать для простых задач. Хороший экран и батарея.

Вам понравился отзыв?

0

0

Дарья

12 августа 2020

ДостоинстваОтличный смартфон за такую цену. 4 гб озу, еще и проц не слабый. Неплохая камера, долго держит заряд. Рекомендую

НедостаткиПока нет

КомментарийНомер заказа #511847

Вам понравился отзыв?

0

0

Rich

08 апреля 2020

ДостоинстваКупил в январе 2020 Практически идеальный смартфон Обзор REDMI 8 по ссылке https://otzovik.com/review_9759435.html

НедостаткиОтсутствует NFS

КомментарийДостойный

Вам понравился отзыв?

2

2

Ефремов Матвей Владимирович

08 апреля 2020

ДостоинстваНу очень большая батарея,неплохая камера,цена!

Недостатки439 Snapdragon это минус,у redmi 7 был 632.

КомментарийСмартфон рекомендую но тяжелые игры потянет на минимальных настройках.Этот телефон больше подойдет для обычного пользавания.

Вам понравился отзыв?

3

3

Еще никто не задал вопрос по данному товару.

Статья 8. Направление и регистрация письменного обращения / КонсультантПлюс

1. Гражданин направляет письменное обращение непосредственно в тот государственный орган, орган местного самоуправления или тому должностному лицу, в компетенцию которых входит решение поставленных в обращении вопросов.

2. Письменное обращение подлежит обязательной регистрации в течение трех дней с момента поступления в государственный орган, орган местного самоуправления или должностному лицу.

3. Письменное обращение, содержащее вопросы, решение которых не входит в компетенцию данных государственного органа, органа местного самоуправления или должностного лица, направляется в течение семи дней со дня регистрации в соответствующий орган или соответствующему должностному лицу, в компетенцию которых входит решение поставленных в обращении вопросов, с уведомлением гражданина, направившего обращение, о переадресации обращения, за исключением случая, указанного в части 4 статьи 11 настоящего Федерального закона. 3.1. Письменное обращение, содержащее информацию о фактах возможных нарушений законодательства Российской Федерации в сфере миграции, направляется в течение пяти дней со дня регистрации в территориальный орган федерального органа исполнительной власти в сфере внутренних дел и высшему должностному лицу субъекта Российской Федерации (руководителю высшего исполнительного органа государственной власти субъекта Российской Федерации) с уведомлением гражданина, направившего обращение, о переадресации его обращения, за исключением случая, указанного в части 4 статьи 11 настоящего Федерального закона.(часть 3.1 введена Федеральным законом от 24.11.2014 N 357-ФЗ; в ред. Федерального закона от 27.12.2018 N 528-ФЗ)

(см. текст в предыдущей редакции)

4. В случае, если решение поставленных в письменном обращении вопросов относится к компетенции нескольких государственных органов, органов местного самоуправления или должностных лиц, копия обращения в течение семи дней со дня регистрации направляется в соответствующие государственные органы, органы местного самоуправления или соответствующим должностным лицам.

5. Государственный орган, орган местного самоуправления или должностное лицо при направлении письменного обращения на рассмотрение в другой государственный орган, орган местного самоуправления или иному должностному лицу может в случае необходимости запрашивать в указанных органах или у должностного лица документы и материалы о результатах рассмотрения письменного обращения.

6. Запрещается направлять жалобу на рассмотрение в государственный орган, орган местного самоуправления или должностному лицу, решение или действие (бездействие) которых обжалуется.

7. В случае, если в соответствии с запретом, предусмотренным частью 6 настоящей статьи, невозможно направление жалобы на рассмотрение в государственный орган, орган местного самоуправления или должностному лицу, в компетенцию которых входит решение поставленных в обращении вопросов, жалоба возвращается гражданину с разъяснением его права обжаловать соответствующие решение или действие (бездействие) в установленном порядке в суд.

Открыть полный текст документа

Люстра Crystal Lux HAUBERK SP-PL12+8+4

Характеристики

ГарантияГарантийные условия
Модель Crystal Lux HAUBERK SP-PL12+8+4
Тип светильника Люстра
Вес, кг 40.0000
Где применяется Для гостиной, Для второго света
Максимальная площадь помещения 35 м2
Подходит для натяжного потолка да, если использовать светодиодные лампы
Тип крепления к поверхности На планку

Габариты

Высота люстры без цепи 156 см
Минимальная высота люстры при монтаже 176 см
Максимальная высота люстры 216 см
Длина/ширина конструкции Диаметр 85 см

Материалы и цвет

Материал арматуры Металл
Цвет арматуры Никель
Материал плафона Металл
Цвет плафонов Хром

Лампочки

Общая мощность 1440 Вт
Количество ламп 24
Мощность одной лампы 60 Вт
Возможность замены ламп Сменный источник света
Тип используемых ламп Лампа галогенная, G9 (60Вт) 
Комплектация лампочками Лампы в комплект не входят

О производителе

Производитель Crystal Lux
Страна бренда Испания
Страна производства Китай

ГИДРОГЕОЛОГИЧЕСКИЕ ПРЕДПОСЫЛКИ НЕФТЕГАЗОНОСНОСТИ ЗАПАДНОЙ ЧАСТИ ЕНИСЕЙ-ХАТАНГСКОГО РЕГИОНАЛЬНОГО ПРОГИБА | Новиков

1. Baskov E.A., Klimov G.I., Kiryukhin V.A., Surikov S.N., Petrova N.A., Tolstikhin O.N., 1974. Hydrogeological structures of East Siberia, the Far East and the Northeast of the USSR. In: I.K. Zaitsev (Ed.), Main types of hydrogeological structures in the USSR. VSEGEI, Leningrad, p. 70–83 (in Russian) [Басков Е.А., Климов Г.И., Кирюхин В.А., Суриков С.Н., Петрова Н.А., Толстихин О.Н. Гидрогеологические структуры Восточной Сибири, Дальнего Востока и северо-востока СССР // Основные типы гидрогеологических структур СССР / Ред. И.К. Зайцев. Л.: ВСЕГЕИ, 1974. С. 70–83].

2. Baulin V.V., Belopukhova E.B., Dubikov G.I., Shmelev L.M., 1967. Geocryological Conditions of the West Siberian Lowland. Nauka, Moscow, 214 p. (in Russian) [Баулин В.В., Белопухова Е.Б., Дубиков Г.И., Шмелев Л.М. Геокриологические условия Западно-Сибирской низменности. М.: Наука, 1967. 214 с.].

3. Beyko O.A., Golovko A.K., Gorbunova L.V., Kam’yanov V.F., Lebedev A.K., Plyusnin A.N., Savinykh Yu.V., Sivirilov P.P., Filimonova T.A., 1988. Chemical Composition of Oils in West Siberia. Siberian Branch, Nauka, Novosibirsk, 288 p. (in Russian) [Бейко О.А., Головко А.К., Горбунова Л.В., Камьянов В.Ф., Лебедев А.К., Плюснин А.Н., Савиных Ю.В., Сивирилов П.П., Филимонова Т.А. Химический состав нефтей Западной Сибири. Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1988. 288 с.].

4. Borodkin V.N., Kurchikov A.R., 2015. To the problem of refining the western and eastern boundaries of the Achimov clinoform complex (West Siberia). Russian Geology and Geophysics 56 (9), 1281–1291. https://doi.org/10.1016/j.rgg.2015.08.005.

5. Bro E.G., 1977. Experience of studying the variability of groundwater mineralization in the Jurassic–Cretaceous section of North Siberia based on field and geophysical data. In: D.S. Sorokov (Ed.), Geology and petroleum potential of Mesozoic troughs in the northern areas of the Siberian platform. NIIGA, Leningrad, p. 58–69 (in Russian) [Бро Е.Г. Опыт изучения изменчивости минерализации подземных вод в юрско-меловом разрезе севера Сибири с привлечением промыслово-геофизических данных // Геология и нефтегазоносность мезозойских прогибов севера Сибирской платформы / Ред. Д.С. Сороков. Л.: НИИГА, 1977. С. 58–69].

6. Bro E.G., Ivanova G.A., Ginsburg G.D., 1973. On inversion hydrogeochemical zoning of gas condensate fields in the western segment of the Yenisei-Khatanga trough. In: Abstracts of the 7th Conference on Groundwater in Siberia and the Far East. Irkutsk–Novosibirsk, p. 36–45 (in Russian) [Бро Е.Г., Иванова Г.А., Гинсбург Г.Д. Об инверсионной гидрогеохимической зональности на газоконденсатных месторождениях западной части Енисей-Хатангского прогиба // Тезисы докладов VII совещания по подземным водам Сибири и Дальнего Востока. Иркутск–Новосибирск, 1973. С. 36–45].

7. Dobretsov N.L., Polyansky O.P., Reverdatto V.V., Babichev A.V., 2013. Dynamics of the Arctic and adjacent petroleum basins: a record of plume and rifting activity. Russian Geology and Geophysics 54 (8), 888–902. https://doi.org/10.1016/j.rgg.2013.07.009.

8. Dolmatova I.V., Peshkova I.N., 2001. Model of rifting in the northern paleo-margin of the Siberian continent (Yenisei-Khatanga trough). Geologiya, Geofizika i Razrabotka Neftyanykh Mestorozhdeniy (Geology, Geophysics and Development of Oil Fields) (7), 30–33 (in Russian) [Долматова И.В., Пешкова И.Н. Модель рифтовой деструкции северной палеоокраины Сибирского континента (Енисей-Хатангский прогиб) // Геология, геофизика и разработка нефтяных месторождений. 2001. № 7. С. 30–33].

9. Fomin M.A., 2011. Analysis of the tectonic structure of the Meso-Cenozoic sedimentary cover of the Yenisei-Khatanga regional trough by reference horizons, and tectonic conditions for its oil-and-gas-bearing capacities. Geologiya, Geofizika i Razrabotka Neftyanykh Mestorozhdeniy (Geology, Geophysics and Development of Oil Fields) (9), 4–20 (in Russian) [Фомин М.А. Анализ тектонического строения мезозойско-кайнозойского осадочного чехла Енисей-Хатангского регионального прогиба по опорным горизонтам, тектонические предпосылки его нефтегазоносности // Геология, геофизика и разработка нефтяных и газовых месторождений. 2011. № 9. С. 4–20].

10. Ginsburg G.D., Afanasov Yu.A., 1971. Manifestation of free gases and water-soluble gases. Gas composition. In: D.S. Sorokov (Ed.), Geology and petroleum potential of the Yenisei-Khatanga trough. Nedra, Leningrad, p. 110–116 (in Russian) [Гинсбург Г.Д., Афанасов Ю.A. Проявление свободных газов и водорастворенные газы. Состав газов // Геология и нефтегазоносность Енисей-Хатангского прогиба / Ред. Д.С. Сороков. Л.: Недра, 1971. С. 110–116].

11. Ginsburg G.D., Ivanova G.A., 1971. Groundwaters. In: D.S. Sorokov (Ed.), Geology and petroleum potential of the Yenisei-Khatanga trough. Nedra, Leningrad, p. 66–72 (in Russian) [Гинсбург Г.Д., Иванова Г.А. Подземные воды // Геология и нефтегазоносность Енисей-Хатангского прогиба / Ред. Д.С. Сороков. Л.: Недра, 1971. С. 66–72].

12. Ginsburg G.D., Ivanova G.A., 1974. Main geochemical features of groundwater in the Jurassic-Cretaceous bed of the southwestern segment of the Yenisei-Khatanga oil-gas province. In: D.S. Sorokov, G.D. Ginsburg (Eds.), Yenisei-Khatanga oil-gas province. NIIGA, Leningrad, p. 71–85 (in Russian) [Гинсбург Г.Д., Иванова Г.А. Основные черты геохимии подземных вод в юрско-меловой толще юго-западной части Енисей–Хатангской нефтегазоносной области // Енисей-Хатангская нефтегазоносная область / Ред. Д.С. Сороков, Г.Д. Гинсбург. Л.: НИИГА, 1974. С. 71–85].

13. Ginsburg G.D., Ivanova G.A., 1977. Some characteristic features of geochemical zoning of groundwaters in the southwestern segment of the Yenisei-Khatanga trough. In: D.S. Sorokov (Ed.), Geology and petroleum potential of the Mesozoic troughs in the north areas of the Siberian platform. NIIGA, Leningrad, p. 70–82 (in Russian) [Гинсбург Г.Д., Иванова Г.А. Некоторые характерные черты геохимической зональности подземных вод в юго-запад¬ной части Енисей-Хатангского прогиба // Геология и нефтегазоносность мезозойских прогибов севера Сибирской платформы / Ред. Д.С. Сороков. Л.: НИИГА, 1977. С. 70–82].

14. Ginsburg G.D., Ivanova G.A., Sapir M.Kh., 1969. About groundwaters of the Ust-Yenisei basin. In: N.I. Tolstikhin, G.D. Ginsburg (Eds.), Hydrogeology of the Yenisei North. Vol. 1. NIIGA, Leningrad, p. 6–23 (in Russian) [Гинсбург Г.Д., Иванова Г.А., Сапир М.Х. О подземных водах Усть-Енисейской впадины // Гидрогеология Енисейского севера / Ред. Н.И. Толстихин, Г.Д. Гинсбург. Вып. 1. Л.: НИИГА, 1969. С. 6–23].

15. Golovin S.V., 2009. Classification of Mesozoic oil-gas complexes of the Yenisei-Khatanga trough. Neftegazovaya Geologiya. Teoriya i Praktika (Oil and Gas Geology. Theory and Practice) 4 (1), Article No. 12_2009 (in Russian) [Головин С.В. Классификация нефтегазоносных комплексов мезозоя Енисей-Хатангского прогиба // Нефтегазовая геология. Теория и практика. 2009. Т. 4. № 1. Статья № 12_2009]. Available from: http://www.ngtp.ru/rub/4/12_2009.pdf.

16. Grechishchev S.E., Mel’nikov E.S., Moskalenko N.G., 1983. Geocryological Forecast for the West Siberian Gas Province. Nauka, Novosibirsk, 180 p. (in Russian) [Гречищев С. Е., Мельников Е.С., Москаленко Н.Г. Геокриологический прогноз для Западно-Сибирской газоносной провинции. Новосибирск: Наука, 1983. 180 с.].

17. Isayev A.V., Devyatov V.P., Karpukhin S.M., Krinin V.A., 2010. Oil and gas prospects of Enisei-Khatangsky regional trough. Geologiya Nefti i Gaza (Oil and Gas Geology) (4), 13–23 (in Russian) [Исаев А.В., Девятов В.П., Карпухин С.М., Кринин В.А. Перспективы нефтегазоносности Енисей-Хатангского регионального прогиба // Геология нефти и газа. 2010. № 4. С. 13–23].

18. Ivanova G.A., 1973. Features of Geochemistry of Groundwater in the Southwestern Yenisei-Khatanga Oil-Gas Province. PhD Thesis (Candidate of Geology and Mineralogy). Sevmorgeo, Norilsk, 226 p. (in Russian) [Иванова Г.А. Особенности геохимии подземных вод юго-западной части Енисей-Хатангской нефтегазоносной области: Дис. … канд. геол.-мин. наук. Норильск: Севморгео, 1973. 226 с.].

19. Ivanova G.A., Mel’kanovitskaya S.G., 1973. Benzene and its homologues in the formation waters of the Yenisei-Khatanga trough. Geologiya Nefti i Gaza (Oil and Gas Geology) (2), 27–34 (in Russian) [Иванова Г.А., Мелькановицкая С.Г. Бензол и его гомологи в пластовых водах Енисей-Хатангского прогиба // Геология нефти и газа. 1973. № 2. С. 27–34].

20. Kartsev A.A., 1982. Hydrogeological indicators for oil and gas exploration. In: V.V. Kolody (Ed.), Hydrogeology of petroleum provinces. Naukova dumka, Kiev, p. 61–66 (in Russian) [Карцев А.А. Нефтегазопоисковые гидрогеологические показатели // Гидрогеология нефтегазоносных провинций / Ред. В.В. Колодий. Киев: Наукова думка, 1982. С. 61–66].

21. Kartsev A. A., Vagin S.B., Matusevich V.M., 1986. Hydrogeology of Oil- and Gas-Bearing Basins. Nedra, Moscow, 224 p. (in Russian) [Карцев А.А., Вагин С.Б., Матусевич В.М. Гидрогеология нефтегазоносных бассейнов. М.: Недра, 1986. 224 с.].

22. Kireyeva T.A., Bychkov A.Yu., 2011. New method of condensation water diagnostics of fields in West Siberia. Geologiya Nefti i Gaza (Oil and Gas Geology) (2), 103–108 (in Russian) [Киреева Т.А., Бычков А.Ю. Новый метод диагностики конденсационных вод нефтегазоносных месторождений Западной Сибири // Геология нефти и газа. 2011. № 2. С. 103–108].

23. Kokh A.A., Novikov D.A., 2014. Hydrodynamic conditions and vertical hydrogeochemical zonality of groundwater in the Western Khatanga artesian basin. Water resources 41 (4), 396–405. https://doi.org/10.1134/S0097807814040083.

24. Kontorovich A.E., Ershov S.V., 2010. Oil and gas reserves of West Siberia. Nauka iz pervykh ruk (Science First Hand) 33 (3), 26–29 (in Russian) [Конторович А.Э., Ершов С.В. Нефтегазовый резерв Западной Сибири // Наука из первых рук. 2010. Т. 33. № 3. С. 26–29].

25. Kontorovich A.E., Grebenuk V.V., Kuznetsov L.L., Kulikov D.P., Khmelevski V.B., Azarnov A.N., Nakaryakov V.D., Polyakova I.D., Sibgatullin V.G., Soboleva E.I., Starosel’tsev V.S., Stepanenko G.F., Fradkin G.S., 1994. Oil- and Gas-Bearing Basins and Regions of Siberia. Vol. 3. Yenisei-Khatanga Basin. OIGGM SB RAS, Novosibirsk, 71 p. (in Russian) [Конторович А.Э., Гребенюк В.В., Кузнецов Л.Л., Куликов Д.П., Хмелевский В.Б., Азарнов А.Н., Накаряков В.Д., Полякова И.Д., Сибгатуллин В.Г., Соболева Е.И., Старосельцев В.С., Степаненко Г.Ф., Фрадкин Г.С. Нефтегазоносные бассейны и регионы Сибири. Вып. 3. Енисей-Хатангский бассейн. Новосибирск: ОИГГМ СО РАН, 1994. 71 с.].

26. Kontorovich V.A., 2011. The tectonic framework and hydrocarbon prospectivity of the western Yenisei–Khatanga regional trough. Russian Geology and Geophysics 52 (8), 804–824. https://doi.org/10.1016/j.rgg.2011.07.006.

27. Kruglikov N.M., Nelyubin V.V., Yakovleva O.N., 1985. Hydrogeology of the West Siberian Oil- and Gas-Bearing Megabasin and Formation Features of Hydrocarbon Deposits. Nedra, Leningrad, 279 p. (in Russian) [Кругликов Н.М., Нелюбин В.В., Яковлева О.Н. Гидрогеология Западно-Сибирского нефтегазоносного мегабассейна и особенности формирования залежей углеводородов. Л.: Недра, 1985. 279 с.].

28. Kryukov P.A., Zhuchkova A.A., Rengarten E.V., 1962. Changes in the composition of solutions from clay and ion-ex¬change resins. Doklady AN SSSR 144 (6), 1363–1402 (in Russian) [Крюков П.А., Жучкова А.А., Ренгартен Е.В. Изменение состава растворов, отжимаемых из глин и ионообменных смол // Доклады АН СССР. 1962. Т. 144. № 6. С. 1363–1402.

29. Kurchikov A.R., Borodkin V.N., 2015. Characteristics of Geological Structure and Petroleum Potential of Jurassic Oil- and Gas-Bearing Complex in West Siberia. Publishing House of RAS, Novosibirsk, 140 p. (in Russian) [Курчиков А.Р., Бородкин В.Н. Характеристика геологического строения и нефтегазоносности юрского нефтегазоносного комплекса Западной Сибири. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2015. 140 с.].

30. Matusevich V.M., Ryl’kov A.V., Ushatinsky I.N., 2005. Geofluidal Systems and Problems of Petrpleum Potential in West Siberian Megabasin. Tyumen State Technical University, Tyumen, 225 p. (in Russian) [Матусевич В.М., Рыльков А.В., Ушатинский И.Н. Геофлюидальные системы и проблемы нефтегазоносности Западно-Сибирского мегабассейна. Тюмень: ТюмГНГУ, 2005. 225 с.].

31. Novikov D.A., 2013. Hydrogeology of the western part of the Yenisei-Khatanga regional trough. Neftegazovaya Geo¬logiya. Teoriya i Praktika (Oil and Gas Geology. Theory and Practice) 8 (1), Article No. 2_2013 (in Russian) [Нови-ков Д.А. Гидрогеология западной части Енисей-Хатангского регионального прогиба // Нефтегазовая геология. Теория и практика. 2013. Т. 8. № 1. Статья № 2_2013]. https://doi.org/10.17353/2070-5379/2_2013.

32. Novikov D.A., 2014. Hydrodynamics of the Neocomian oil and gas fields in the transition region from the West Siberian artesian basin to the Khatanga basin. Geologiya, Geofizika i Razrabotka Neftyanykh i Gazovykh Mestorozhdeniy (Geology, Geophysics and Development of Oil and Gas Fields) (2), 24–33 (in Russian) [Новиков Д.А. Гидродинамика нефтегазоносных отложений неокома переходной области от Западно-Сибирского артезианского бассейна к Хатангскому // Геология, геофизика и разработка нефтяных и газовых месторождений. 2014. № 2. С. 24–33].

33. Novikov D.A., 2015. Oil and gas prospecting: Water-gas equilibrium studies, application aspects. Gazovaya Promyshlennost’ (Gas Industry) (3), 12–17 (in Russian) [Новиков Д.А. Применение методики поисков залежей углеводородов на основе изучения водно-газовых равновесий // Газовая промышленность. 2015. № 3. С. 12–17].

34. Novikov D.A., 2016. Hydrogeochemistry of catagenetic transformation processes in sedimental rocks of petroleum deposits in the Arctic districts of the West Siberian megabasin. Izvestia vuzov. Neft i gaz (Higher Educational Institutions News. Oil and Gas) (6), 19–25 (in Russian) [Новиков Д.А. Гидрогеохимия процессов катагенетического преобразования осадочных пород нефтегазоносных отложений арктических районов Западно-Сибирского мегабассейна // Известия вузов. Нефть и газ. 2016. № 6. С. 19–25].

35. Nudner V.A., 1970. Hydrogeology of the USSR. Vol. XVI. Nedra, Moscow, 368 p. (in Russian) [Нуднер В.А. Гидрогеология СССР. Т. XVI. М.: Недра, 1970. 368 с.].

36. Polyakov A.A., Fomina E.V., Isaev A.V., Karpukhin S.M., 2012. New directions of geological exploration in the western Yenisei-Khatanga trough (right bank of the Yenisei river). In: Scientific and technical bulletin of OJSC NK ROSNEFT, vol. 26, p. 2–7 (in Russian) [Поляков А.А., Фомина Е.В., Исаев А.В., Карпухин С.М. Новые направления геолого-разведочных работ на западе Енисей-Хатангского прогиба (правобережье Енисея) // Научно-технический вестник ОАО «НК РОСНЕФТЬ». 2012. Вып. 26. С. 2–7].

37. Polyushchuk Yu.M., Yashchenko I.G., 2004. Physico-Chemical Properties of Oils: Statistical Analysis of Spatial and Temporal Variations. Geo Branch, Publishing House of RAS, Novosibirsk, 109 p. (in Russian) [Полющук Ю.М., Ященко И.Г. Физико–химические свойства нефтей: ститистический анализ пространственных и временных изменений. Новосибирск: Изд-во СО РАН, филиал «Гео», 2004. 109 с.].

38. Pronkin A.P., Savchenko V.I., Khlebnikov P.A., Ernst V.A., Filiptsov Yu.A., Afanasenkov A.P., Efimov A.S., Stupakova A.V., Bordunov S.I., Suslova A.A., Sautkin R.S., Glukhova T.A., Peretolchin K.A., 2012. New data about geological structure and possible oil and gas potential of the West-Siberian and Siberian platform jointing zone with folded Taimyr. Geologiya Nefti i Gaza (Oil and Gas Geology) (1), 28–42 (in Russian) [Пронкин А.П., Савченко В.И., Хлебников П.А., Эрнст В.А., Филипцов Ю.А., Афанасенков А.П., Ефимов А.С., Ступакова А.В., Бордунов С.И., Суслова А.А., Сауткин Р.С., Глухова Т.А., Перетолчин К.А. Новые данные о геологическом строении и возможной нефтегазоносности зон сочленения Западно-Сибирской и Сибирской платформ со складчатым Таймыром // Геология нефти и газа. 2012. № 1. С. 28–42].

39. Ravdonikas O.V., 1962. Main Results of Hydrogeological Studies of Oil Regions in the Northern West Siberia. Pro¬ceedings of NIIGA, vol. 129. Gosgeoltekhizdat, Moscow, 194 p. (in Russian) [Равдоникас О.В. Основные итоги гидрогеологических исследований нефтеносных районов севера Западной Сибири. Труды НИИГА. Вып. 129. М.: Госгеолтехиздат, 1962. 194 с.].

40. Rosenbaum G.E., Shpolyanskaya N.A., 2000. Late Cenozoic History of the Arctic Permafrost Zone and Trends of Its Future Development. Nauchny Mir, Moscow, 103 p. (in Russian) [Розенбаум Г.Э., Шполянская Н.А. Позднекайнозойская история криолитозоны Арктики и тенденции ее будущего развития. М.: Научный мир, 2000. 103 с.].

41. Rostovtsev N.N., Ravdonikas O.V., 1958. Geological Structure and Prospects of Petroleum Potential of the West Siberian Lowland. Gostoptekhizdat, Moscow, 391 p. (in Russian) [Ростовцев Н.Н., Равдоникас О.В. Геологическое строение и перспективы нефтегазоносности Западно-Сибирской низменности. М.: Гостоптехиздат, 1958. 391 с.].

42. Rozin A.A., 1977. Groundwaters of West Siberian Artesian Basin and Their Formation. Nauka, Novosibirsk, 102 p. (in Russian) [Розин А.А. Подземные воды Западно-Сибирского артезианского бассейна и их формирование. Новосибирск: Наука, 1977. 102 с.].

43. Sadykova Ya.V., 2016. Paleohydrogeochemical reconstruction of oil and gas bearing deposits of the Gydan peninsula. Otechestvennaya geologiya (Russian Geology) (1), 16–24 (in Russian) [Садыкова Я.В. Палеогидрогеохимические реконструкции нефтегазоносных отложений полуострова Гыдан // Отечественная геология. 2016. № 1. С. 16–24].

44. Sadykova Ya.V., Dul’tseva M.G., 2017. The role of paleohydrochemical factors in groundwater chemistry formation in oil-and-gas-bearing deposits of the northeastern Bol’shekhetskaya Megasyneclise. Water Resources 44 (2), 246–258. https://doi.org/10.1134/S0097807817020130.

45. Shvartsev S.L., Novikov D.A., 2004. The nature of vertical hydrogeochemical zoning of petroleum deposits (exemplified by the Nadym-Taz interfluve, West Siberia). Geologiya i Geofizika (Russian Geology and Geophysics) 45 (8), 1008–1020.

46. Stoupakova A.V., Bordunov S.I., Sautkin R.S., Suslova A.A., Peretolchin K.A., Sidorenko S.A., 2013. Russian Arctic oil and gas basins. Geologiya Nefti i Gaza (Oil and Gas Geology) (3), 30–47 (in Russian) [Ступакова А.В., Бордунов С.И., Сауткин Р.С., Суслова А.А., Перетолчин К.А., Сидоренко С.А. Нефтегазоносные бассейны Российской Арктики // Геология нефти и газа. 2013. № 3. С. 30–47].

47. Torgovanova V.B., Dubrova N.V., Kruglikov N.M., 1960. Waters and Gases in Paleozoic and Mesozoic Deposits of West Siberia. Proceedings of VNIGRI, vol. 159. Gostoptekhizdat, Leningrad, 460 p. (in Russian) [Торгованова В.Б., Дуброва Н.В., Кругликов Н.М. Воды и газы палеозойских и мезозойских отложений Западной Сибири. Труды ВНИГРИ. Вып. 159. Л.: Гостоптехиздат, 1960. 460 с.].

48. Trofimov V.T., Vasil’chuk Yu.K., 1987. Geocryological Zoning of the West Siberian Plate. Nauka, Moscow, 222 p. (in Russian) [Трофимов В.Т., Васильчук Ю.К. Геокриологическое районирование Западно-Сибирской плиты. М.: Наука, 1987. 222 с.].

49. Zaitsev I.K., 1972. Hydrogeology of the USSR. Vol. XVIII. Nedra, Moscow, 479 p. (in Russian) [Зайцев И.К. Гидрогеология СССР. Т. XVIII. М.: Недра, 1972. 479 с.].

50. Zor’kin L.M., 1989. Waters in Oil and Gas Fields of the USSR. Nedra, Moscow, 382 p. (in Russian) [Зорькин Л.М. Воды нефтяных и газовых месторождений СССР. М.: Недра, 1989. 382 с.].

Подгузники Merries S (4-8 кг) 82 шт

Почему важно выбирать для самой нежной кожи малыша дышащие подгузники? Очень просто! Концентрация влаги и тепла в подгузнике может достигать уровня влажности и температуры джунглей ― это называется “парниковый эффект”. Внутри подгузника, особенно после того как малыш пописал, увеличивается температура и влажность, что приводит к повышенной потливости, разрушению естественного защитного барьера кожи и увеличивает риск появления опрелостей и раздражений. В воздухопроницаемых подгузниках за счёт вывода лишней влаги наружу через микропоры его внешнего слоя и свободной циркуляции воздуха внутри него “парниковый эффект” исчезает. Поэтому тонкие дышащие подгузники Merries прекрасно защищают кожу малыша от опрелостей.

Уникальная технология трех дышащих слоев отлично выводит прелый воздух из подгузника, что позволяет попке малыша всегда оставаться сухой и предотвращает появление опрелостей и раздражений на нежной коже.

  • Слой 1. Дышащая волнистая внутренняя поверхность. Испарения выводятся наружу за счет свободного прилегания волнистого материала к коже малыша.
  • Слой 2. Теперь воздушные каналы даже во впитывающем слое. Благодаря блочной структуре внутренний слой активно впитывает мочу и выпускает испарения наружу.
  • Слой 3. Внешний дышащий материал. Внешний слой отводит влажный воздух через специальные микропоры, которые не пропускают влагу, но выпускают прелый воздух.

Нежные воздушные подушечки. В 3 раза больше воздуха! (в сравнении со средним показателем объема воздуха в волнистом слое подгузников Merries предыдущего поколения).

Размещение нового материала с увеличенными ячейками в центральной зоне подгузника для наибольшего впитывания. Материал, который контактирует с кожей, стал ещё нежнее. Подгузник остается мягким и нежным к коже даже после того, как впитает много жидкости. А мелкие ячейки, расположенные по бокам волнистого слоя, надежно удерживают жидкий стул, предотвращая его растекание.

Merries заботится о коже вашего ребенка!

  • Надежный впитывающий внутренний слой.

Мгновенно поглощает жидкость в 200-300 раз больше собственного веса и превращает ее в гель, который не вытекает даже при внешнем давлении.

  • Дышащая волнистая внутренняя поверхность надежно задерживает жидкий стул.

Углубления на поверхности задерживают жидкий стул: это предотвращает его растекание внутри подгузника и минимизирует контакт с кожей.

  • Воздушный и шелковистый внутренний слой понравится даже самой нежной коже.

Мягкая поверхность приятна на ощупь и защищает кожу от натирания.

  • Оборочки вокруг ножек предотвращают протекание.

Плотно облегают ножки и отлично держатся даже на подвижном ребенке. Оборочки дополнительно удерживают жидкий стул от вытекания наружу.

  • Многоразовые липучки.

Округлые края многоразовых липучек не травмируют кожу малыша.

  • Индикатор наполнения.

Если три центральные полоски индикатора окрасились в синий цвет — значит, пора менять подгузник.

  • Симпатичный дизайн с зайкой Merries подарит малышу хорошее настроение.
  • Подходят для мальчиков и девочек.

Впитывающий слой располагается по всей поверхности подгузника, поэтому подгузники подходят и мальчикам, и девочкам.

Материал: нетканый полиолефин, полиолефин-нетканый полиэстер, распушенная целлюлоза, бумага, полимер-суперабсорбент, полиолефиновая пленка, полиуретан, термоклей.

Вес ребенка: от 4 до 8 кг.

Процессор Intel® Core™ i7-10510U (8 МБ кэш-памяти, тактовая частота до 4,90 ГГц) Спецификации продукции

Дата выпуска

Дата выпуска продукта.

Литография

Литография указывает на полупроводниковую технологию, используемую для производства интегрированных наборов микросхем и отчет показывается в нанометре (нм), что указывает на размер функций, встроенных в полупроводник.

Количество ядер

Количество ядер — это термин аппаратного обеспечения, описывающий число независимых центральных модулей обработки в одном вычислительном компоненте (кристалл).

Количество потоков

Поток или поток выполнения — это термин программного обеспечения, обозначающий базовую упорядоченную последовательность инструкций, которые могут быть переданы или обработаны одним ядром ЦП.

Базовая тактовая частота процессора

Базовая частота процессора — это скорость открытия/закрытия транзисторов процессора. Базовая частота процессора является рабочей точкой, где задается расчетная мощность (TDP). Частота измеряется в гигагерцах (ГГц) или миллиардах вычислительных циклов в секунду.

Максимальная тактовая частота с технологией Turbo Boost

Максимальная тактовая частота в режиме Turbo — это максимальная тактовая частота одноядерного процессора, которую можно достичь с помощью поддерживаемых им технологий Intel® Turbo Boost и Intel® Thermal Velocity Boost. Частота измеряется в гигагерцах (ГГц) или миллиардах вычислительных циклов в секунду.

Кэш-память

Кэш-память процессора — это область быстродействующей памяти, расположенная в процессоре. Интеллектуальная кэш-память Intel® Smart Cache указывает на архитектуру, которая позволяет всем ядрам совместно динамически использовать доступ к кэшу последнего уровня.

Частота системной шины

Шина — это подсистема, передающая данные между компонентами компьютера или между компьютерами. В качестве примера можно назвать системную шину (FSB), по которой происходит обмен данными между процессором и блоком контроллеров памяти; интерфейс DMI, который представляет собой соединение «точка-точка» между встроенным контроллером памяти Intel и блоком контроллеров ввода/вывода Intel на системной плате; и интерфейс Quick Path Interconnect (QPI), соединяющий процессор и интегрированный контроллер памяти.

Расчетная мощность

Расчетная тепловая мощность (TDP) указывает на среднее значение производительности в ваттах, когда мощность процессора рассеивается (при работе с базовой частотой, когда все ядра задействованы) в условиях сложной нагрузки, определенной Intel. Ознакомьтесь с требованиями к системам терморегуляции, представленными в техническом описании.

Настраиваемая частота TDP (в сторону увеличения)

Настраиваемая частота TDP (в сторону увеличения) — режим работы процессора, при котором поведение и производительность процессора изменяются при увеличении величины TDP, при частоте процессора на неподвижных точках. Настраиваемая частота TDP (в сторону увеличения) определяет настраиваемую величину TDP (в сторону увеличения). Частота измеряется в гигагерцах (ГГц) или миллиардах вычислительных циклов в секунду.

Настраиваемая величина TDP (в сторону увеличения)

Настраиваемая величина TDP (в сторону увеличения) — режим работы процессора, при котором поведение и производительность изменяются при увеличении величины TDP (при частоте процессора на неподвижных точках). Этот режим обычно используется производителями систем для оптимизации мощности и производительности. Настраиваемая частота TDP (в сторону увеличения) указывает на среднее значение производительности в ваттах, когда мощность процессора рассеивается (при работе в режиме настраиваемой величины TDP (в сторону увеличения) в условиях сложной нагрузки, определяемой Intel.

Настраиваемая частота TDP (в сторону уменьшения)

Настраиваемая частота TDP (в сторону уменьшения) — режим работы процессора, при котором поведение и производительность изменяются при уменьшении величины TDP, при частоте процессора на неподвижных точках. Настраиваемая частота TDP (в сторону уменьшения) определяет настраиваемую величину TDP (в сторону уменьшения). Частота измеряется в гигагерцах (ГГц) или миллиардах вычислительных циклов в секунду.

Настраиваемая величина TDP (в сторону уменьшения)

Настраиваемая величина TDP (в сторону уменьшения) — режим работы процессора, при котором поведение и производительность изменяются при уменьшении величины TDP, при частоте процессора на неподвижных точках. Этот режим обычно используется производителями систем для оптимизации мощности и производительности. Настраиваемая частота TDP (в сторону уменьшения) указывает на среднее значение производительности в ваттах, когда мощность процессора рассеивается (при работе в режиме настраиваемой величины TDP (в сторону уменьшения) в условиях сложной нагрузки, определяемой Intel.

Доступные варианты для встраиваемых систем

Доступные варианты для встраиваемых систем указывают на продукты, обеспечивающие продленную возможность приобретения для интеллектуальных систем и встроенных решений. Спецификация продукции и условия использования представлены в отчете Production Release Qualification (PRQ). Обратитесь к представителю Intel для получения подробной информации.

Поиск продукции с Доступные варианты для встраиваемых систем

Макс. объем памяти (зависит от типа памяти)

Макс. объем памяти означает максимальный объем памяти, поддерживаемый процессором.

Типы памяти

Процессоры Intel® поддерживают четыре разных типа памяти: одноканальная, двухканальная, трехканальная и Flex.

Макс. число каналов памяти

От количества каналов памяти зависит пропускная способность приложений.

Макс. пропускная способность памяти

Макс. пропускная способность памяти означает максимальную скорость, с которой данные могут быть считаны из памяти или сохранены в памяти процессором (в ГБ/с).

Поддержка памяти ECC

Поддержка памяти ECC указывает на поддержку процессором памяти с кодом коррекции ошибок. Память ECC представляет собой такой типа памяти, который поддерживает выявление и исправление распространенных типов внутренних повреждений памяти. Обратите внимание, что поддержка памяти ECC требует поддержки и процессора, и набора микросхем.

Поиск продукции с Поддержка памяти ECC

Встроенная в процессор графическая система

Графическая система процессора представляет собой интегрированную в процессор схему обработки графических данных, которая формирует работу функций видеосистемы, вычислительных процессов, мультимедиа и отображения информации. Системы HD-графики Intel®, Iris™ Graphics, Iris Plus Graphics и Iris Pro Graphics обеспечивают расширенное преобразование медиа-данных, высокие частоты кадров и возможность демонстрации видео в формате 4K Ultra HD (UHD). Для получения дополнительной информации см. страницу Технология Intel® Graphics.

Базовая частота графической системы

Базовая частота графической системы — это номинальная/гарантированная тактовая частота рендеринга графики (МГц).

Макс. динамическая частота графической системы

Макс. динамическая частота графической системы — это максимальная условная частота рендеринга (МГц), поддерживаемая HD-графикой Intel® с функцией Dynamic Frequency.

Макс. объем видеопамяти графической системы

Максимальное количество памяти, доступное для графической системы процессора. Графическая система процессора использует ту же память, что и сам процессор (с учетом ограничений для ОС, драйвера и системы т.д).

Вывод графической системы

Вывод графической системы определяет интерфейсы, доступные для взаимодействия с отображениями устройства.

Объекты для выполнения

Исполнительный блок является основным компонентом графической архитектуры Intel. Исполнительные блоки представляют собой процессоры, оптимизированные для одновременной многопоточной обработки данных и обеспечения высокой производительности компьютеров.

Поддержка 4K

Поддержка 4K определяет способность продукта воспроизводить данные с разрешением, как минимум, 3840 x 2160.

Макс. разрешение (HDMI 1.4)‡

Максимальное разрешение (HDMI) — максимальное разрешение, поддерживаемое процессором через интерфейс HDMI (24 бита на пиксель с частотой 60 Гц). Системное разрешение или разрешение экрана зависит от нескольких факторов дизайна системы, а именно, фактическое разрешение в системе может быть ниже.

Макс. разрешение (DP)‡

Максимальное разрешение (DP) — максимальное разрешение, поддерживаемое процессором через интерфейс DP (24 бита на пиксель с частотой 60 Гц). Системное разрешение или разрешение экрана зависит от нескольких факторов дизайна системы, а именно, фактическое разрешение в системе может быть ниже.

Макс. разрешение (eDP — встроенный плоский экран)

Максимальное разрешение (встроенный плоский экран) — максимальное разрешение, поддерживаемое процессором для встроенного плоского экрана (24 бита на пиксель с частотой 60 Гц). Системное разрешение или разрешение экрана зависит от нескольких факторов дизайна системы; фактическое разрешение на устройстве может быть ниже.

Поддержка DirectX*

DirectX* указывает на поддержку конкретной версии коллекции прикладных программных интерфейсов Microsoft для обработки мультимедийных вычислительных задач.

Поддержка OpenGL*

OpenGL (Open Graphics Library) — это язык с поддержкой различных платформ или кроссплатформенный прикладной программный интерфейс для отображения двухмерной (2D) и трехмерной (3D) векторной графики.

Intel® Quick Sync Video

Технология Intel® Quick Sync Video обеспечивает быструю конвертацию видео для портативных медиапроигрывателей, размещения в сети, а также редактирования и создания видео.

Поиск продукции с Intel® Quick Sync Video

Технология Intel® Clear Video HD

Технология Intel® Clear Video HD, как и предшествующая ее появлению технология Intel® Clear Video, представляет собой набор технологий кодирования и обработки видео, встроенный в интегрированную графическую систему процессора. Эти технологии делают воспроизведение видео более стабильным, а графику — более четкой, яркой и реалистичной. Технология Intel® Clear Video HD обеспечивает более яркие цвета и более реалистичное отображение кожи благодаря улучшениям качества видео.

Технология Intel® Clear Video

Технология Intel® Clear Video представляет собой набор технологий кодирования и обработки видео, встроенный в интегрированную графическую систему процессора. Эти технологии делают воспроизведение видео более стабильным, а графику — более четкой, яркой и реалистичной.

Редакция PCI Express

Редакция PCI Express — это версия, поддерживаемая процессором. PCIe (Peripheral Component Interconnect Express) представляет собой стандарт высокоскоростной последовательной шины расширения для компьютеров для подключения к нему аппаратных устройств. Различные версии PCI Express поддерживают различные скорости передачи данных.

Конфигурации PCI Express

Конфигурации PCI Express (PCIe) описывают доступные конфигурации каналов PCIe, которые можно использовать для привязки каналов PCH PCIe к устройствам PCIe.

Макс. кол-во каналов PCI Express

Полоса PCI Express (PCIe) состоит из двух дифференциальных сигнальных пар для получения и передачи данных, а также является базовым элементом шины PCIe. Количество полос PCI Express — это общее число полос, которое поддерживается процессором.

Поддерживаемые разъемы

Разъемом называется компонент, которые обеспечивает механические и электрические соединения между процессором и материнской платой.

T

JUNCTION

Температура на фактическом пятне контакта — это максимальная температура, допустимая на кристалле процессора.

Поддержка памяти Intel® Optane™

Память Intel® Optane™ представляет собой новый революционный класс энергонезависимой памяти, работающей между системной памятью и устройствами хранения данных для повышения системной производительности и оперативности. В сочетании с драйвером технологии хранения Intel® Rapid она эффективно управляет несколькими уровнями систем хранения данных, предоставляя один виртуальный диск для нужд ОС, обеспечивая тем самым хранение наиболее часто используемой информации на самом быстродействующем уровне хранения данных. Для работы памяти Intel® Optane™ необходимы специальная аппаратная и программная конфигурации. Чтобы узнать о требованиях к конфигурации, посетите сайт https://www.intel.com/content/www/ru/ru/architecture-and-technology/optane-memory.html.

Технология Intel® Speed Shift

Технология Intel® Speed Shift использует аппаратно-управляемые P-состояния для обеспечения повышенной оперативности при обработке одного потока данных и кратковременных рабочих нагрузок, таких как веб-поиск, позволяя процессору быстрее выбирать нужную частоту и напряжение для поддержания оптимальной производительности и энергоэффективности.

Intel® Thermal Velocity Boost

Intel® Thermal Velocity Boost (Intel® TVB) — это функция, которая своевременно и автоматически повышает тактовую частоту одноядерных и многоядерных процессоров, имеющих поддержку технологии Intel® Turbo Boost, в зависимости от того, насколько текущая рабочая температура процессора ниже максимума и каковы доступные возможности повышения частоты. Повышение частоты и его продолжительность зависят от рабочей нагрузки, возможностей процессора и системы охлаждения.

Технология Intel® Turbo Boost

Технология Intel® Turbo Boost динамически увеличивает частоту процессора до необходимого уровня, используя разницу между номинальным и максимальным значениями параметров температуры и энергопотребления, что позволяет увеличить эффективность энергопотребления или при необходимости «разогнать» процессор.

Технология Intel® Hyper-Threading

Intel® Hyper-Threading Technology (Intel® HT Technology) обеспечивает два потока обработки для каждого физического ядра. Многопоточные приложения могут выполнять больше задач параллельно, что значительно ускоряет выполнение работы.

Поиск продукции с Технология Intel® Hyper-Threading

Технология виртуализации Intel® (VT-x)

Технология Intel® Virtualization для направленного ввода/вывода (VT-x) позволяет одной аппаратной платформе функционировать в качестве нескольких «виртуальных» платформ. Технология улучшает возможности управления, снижая время простоев и поддерживая продуктивность работы за счет выделения отдельных разделов для вычислительных операций.

Поиск продукции с Технология виртуализации Intel® (VT-x)

Технология виртуализации Intel® для направленного ввода/вывода (VT-d)

Технология Intel® Virtualization Technology для направленного ввода/вывода дополняет поддержку виртуализации в процессорах на базе архитектуры IA-32 (VT-x) и в процессорах Itanium® (VT-i) функциями виртуализации устройств ввода/вывода. Технология Intel® Virtualization для направленного ввода/вывода помогает пользователям увеличить безопасность и надежность систем, а также повысить производительность устройств ввода/вывода в виртуальных средах.

Поиск продукции с Технология виртуализации Intel® для направленного ввода/вывода (VT-d)

Intel® VT-x с таблицами Extended Page Tables (EPT)

Intel® VT-x с технологией Extended Page Tables, известной также как технология Second Level Address Translation (SLAT), обеспечивает ускорение работы виртуализованных приложений с интенсивным использованием памяти. Технология Extended Page Tables на платформах с поддержкой технологии виртуализации Intel® сокращает непроизводительные затраты памяти и энергопотребления и увеличивает время автономной работы благодаря аппаратной оптимизации управления таблицей переадресации страниц.

Intel® TSX-NI

Intel® Transactional Synchronization Extensions New Instructions (Intel® TSX-NI) представляют собой набор команд, ориентированных на масштабирование производительности в многопоточных средах. Эта технология помогает более эффективно осуществлять параллельные операции с помощью улучшенного контроля блокировки ПО.

Архитектура Intel® 64

Архитектура Intel® 64 в сочетании с соответствующим программным обеспечением поддерживает работу 64-разрядных приложений на серверах, рабочих станциях, настольных ПК и ноутбуках.¹ Архитектура Intel® 64 обеспечивает повышение производительности, за счет чего вычислительные системы могут использовать более 4 ГБ виртуальной и физической памяти.

Поиск продукции с Архитектура Intel® 64

Набор команд

Набор команд содержит базовые команды и инструкции, которые микропроцессор понимает и может выполнять. Показанное значение указывает, с каким набором команд Intel совместим данный процессор.

Расширения набора команд

Расширения набора команд — это дополнительные инструкции, с помощью которых можно повысить производительность при выполнении операций с несколькими объектами данных. К ним относятся SSE (Поддержка расширений SIMD) и AVX (Векторные расширения).

Технология Intel® My WiFi

Технология Intel® My WiFi обеспечивает беспроводное подключение Ultrabook™ или ноутбука к устройствам с поддержкой WiFi, таким как принтеры, стереосистемы и т.д.

Состояния простоя

Режим состояния простоя (или C-состояния) используется для энергосбережения, когда процессор бездействует. C0 означает рабочее состояние, то есть ЦПУ в данный момент выполняет полезную работу. C1 — это первое состояние бездействия, С2 — второе состояние бездействия и т.д. Чем выше численный показатель С-состояния, тем больше действий по энергосбережению выполняет программа.

Enhanced Intel SpeedStep® Technology (Усовершенствованная технология Intel SpeedStep®)

Усовершенствованная технология Intel SpeedStep® позволяет обеспечить высокую производительность, а также соответствие требованиям мобильных систем к энергосбережению. Стандартная технология Intel SpeedStep® позволяет переключать уровень напряжения и частоты в зависимости от нагрузки на процессор. Усовершенствованная технология Intel SpeedStep® построена на той же архитектуре и использует такие стратегии разработки, как разделение изменений напряжения и частоты, а также распределение и восстановление тактового сигнала.

Технологии термоконтроля

Технологии термоконтроля защищают корпус процессора и систему от сбоя в результате перегрева с помощью нескольких функций управления температурным режимом. Внутрикристаллический цифровой термодатчик температуры (Digital Thermal Sensor — DTS) определяет температуру ядра, а функции управления температурным режимом при необходимости снижают энергопотребление корпусом процессора, тем самым уменьшая температуру, для обеспечения работы в пределах нормальных эксплуатационных характеристик.

Технология Intel® Flex Memory Access

Intel® Flex Memory Access обеспечивает простоту модернизации благодаря поддержке модулей памяти различного объёма, работающих в двухканальном режиме.

Технология защиты конфиденциальности Intel®

Технология защиты конфиденциальности Intel® — встроенная технология безопасности, основанная на использовании токенов. Эта технология предоставляет простые и надежные средства контроля доступа к коммерческим и бизнес-данным в режиме онлайн, обеспечивая защиту от угроз безопасности и мошенничества. Технология защиты конфиденциальности Intel® использует аппаратные механизмы аутентификации ПК на веб-сайтах, в банковских системах и сетевых службах, подтверждая уникальность данного ПК, защищает от несанкционированного доступа и предотвращает атаки с использованием вредоносного ПО. Технология защиты конфиденциальности Intel® может использоваться в качестве ключевого компонента решений двухфакторной аутентификации, предназначенных для защиты информации на веб-сайтах и контроля доступа в бизнес-приложения.

Программа Intel® Stable Image Platform (Intel® SIPP)

Программа Intel® SIPP (Intel® Stable Image Platform Program) подразумевает нулевые изменения основных компонентов платформ и драйверов в течение не менее чем 15 месяцев или до следующего выпуска поколения, что упрощает эффективное управление конечными вычислительными системами ИТ-персоналом.
Подробнее о программе Intel® SIPP

Новые команды Intel® AES

Команды Intel® AES-NI (Intel® AES New Instructions) представляют собой набор команд, позволяющий быстро и безопасно обеспечить шифрование и расшифровку данных. Команды AES-NI могут применяться для решения широкого спектра криптографических задач, например, в приложениях, обеспечивающих групповое шифрование, расшифровку, аутентификацию, генерацию случайных чисел и аутентифицированное шифрование.

Поиск продукции с Новые команды Intel® AES

Secure Key

Технология Intel® Secure Key представляет собой генератор случайных чисел, создающий уникальные комбинации для усиления алгоритмов шифрования.

Intel® Software Guard Extensions (Intel® SGX)

Расширения Intel® SGX (Intel® Software Guard Extensions) открывают возможности создания доверенной и усиленной аппаратной защиты при выполнении приложениями важных процедур и обработки данных. ПО Intel® SGX дает разработчикам возможность распределения кода программ и данных по защищенным центральным процессором доверенным средам выполнения, TEE (Trusted Execution Environment).

Команды Intel® Memory Protection Extensions (Intel® MPX)

Расширения Intel® MPX (Intel® Memory Protection Extensions) представляют собой набор аппаратных функций, которые могут использоваться программным обеспечением в сочетании с изменениями компилятора для проверки безопасности создаваемых ссылок памяти во время компиляции вследствие возможного переполнения или недогрузки используемого буфера.

Технология Intel® Trusted Execution

Технология Intel® Trusted Execution расширяет возможности безопасного исполнения команд посредством аппаратного расширения возможностей процессоров и наборов микросхем Intel®. Эта технология обеспечивает для платформ цифрового офиса такие функции защиты, как измеряемый запуск приложений и защищенное выполнение команд. Это достигается за счет создания среды, где приложения выполняются изолированно от других приложений системы.

Поиск продукции с Технология Intel® Trusted Execution

Функция Бит отмены выполнения

Бит отмены выполнения — это аппаратная функция безопасности, которая позволяет уменьшить уязвимость к вирусам и вредоносному коду, а также предотвратить выполнение вредоносного ПО и его распространение на сервере или в сети.

Intel® Boot Guard

Технология Intel® Device Protection с функциями Boot Guard используется для защиты систем от вирусов и вредоносных программ перед загрузкой операционных систем.

Смартфон Xiaomi Redmi Note 8 4/128GB Цена Фото Характеристик

Тип: смартфон

Операционная система: Android

Версия ОС на начало продаж: Android 9.0

Тип корпуса: классический

Количество SIM-карт: 2

Тип SIM-карты: nano SIM

Режим работы нескольких SIM-карт: попеременный

Вес: 190 г

Размеры (ШxВxТ): 75.3×158.3×8.35 мм

Тип экрана: цветной IPS, сенсорный

Тип сенсорного экрана: мультитач, емкостный

Диагональ: 6.3 дюйм.

Размер изображения: 2340×1080

Число пикселей на дюйм (PPI): 409

Соотношение сторон: 19.5:9

Автоматический поворот экрана: есть

Устойчивое к царапинам стекло: есть

Количество основных (тыловых) камер: 4

Разрешения основных (тыловых) камер: 48 МП, 8 МП, 2 МП, 2 МП

Диафрагмы основных (тыловых) камер: F/1.75, F/2.20, F/2.40, F/2.40

Фотовспышка: тыльная, светодиодная

Функции основной (тыловой) фотокамеры: автофокус, режим макросъемки

Запись видеороликов: есть

Макс. разрешение видео: 3840×2160

Фронтальная камера: есть, 13 МП

Аудио: MP3, AAC, WAV, WMA

Разъем для наушников: 3.5 мм

Стандарт: GSM 900/1800/1900, 3G, 4G LTE, VoLTE

Интерфейсы: Wi-Fi 802.11ac, Wi-Fi Direct, Bluetooth 4.2, IRDA, USB

Спутниковая навигация: GPS/ГЛОНАСС/BeiDou

Cистема A-GPS: есть

Процессор: Qualcomm Snapdragon 665

Количество ядер процессора: 8

Видеопроцессор: Adreno 610

Объем встроенной памяти: 128 Гб

Объем оперативной памяти: 4 Гб

Слот для карт памяти: есть, отдельный

Емкость аккумулятора: 4000 мА⋅ч

Аккумулятор: несъемный

Тип разъема для зарядки: USB Type-C

Функция быстрой зарядки: есть

Громкая связь (встроенный динамик): есть

Управление: голосовой набор, голосовое управление

Режим полета: есть

Датчики: освещенности, приближения, гироскоп, компас, считывание отпечатка пальца

Фонарик: есть

Что такое 8/4 как смешанное число? (Преобразование неправильной дроби 8/4 в смешанную дробь)

Пытаетесь узнать, как преобразовать 8/4 в смешанное число или дробь? У меня есть для тебя ответ! В этом руководстве мы проведем вас через пошаговый процесс преобразования неправильной дроби, в данном случае 8/4, в смешанное число. Читать дальше!

Хотите быстро выучить или показать студентам, как преобразовать 8/4 в смешанное число? Воспроизведите это очень быстрое и веселое видео прямо сейчас!

Прежде чем мы начнем, давайте еще раз вернемся к некоторым основным терминам дроби, чтобы вы точно поняли, с чем мы здесь имеем дело:

  • Числитель.Это число над дробной чертой. Для 8/4 числитель 8.
  • Знаменатель. Это число под дробной чертой. Знаменатель 8/4 равен 4.
  • Неправильная дробь. Это дробь, в которой числитель больше знаменателя .
  • Смешанный номер. Это способ выразить неправильную дробь, упростив ее до целых единиц и меньшей общей дроби. Это целое число (целое число) и правильная дробь.

Теперь давайте рассмотрим шаги, необходимые для преобразования 8/4 в смешанное число.

Шаг 1. Найдите целое число

.

Сначала мы хотим найти целое число, и для этого делим числитель на знаменатель. Поскольку нас интересуют только целых чисел , мы игнорируем любые числа справа от десятичной точки.

8/4 = 2

Теперь, когда у нас есть целое число для смешанной дроби, нам нужно найти новый числитель для дробной части смешанного числа.

Шаг 2. Получите новый числитель

Чтобы решить эту проблему, мы воспользуемся целым числом, которое мы вычислили на первом шаге (2), и умножим его на исходный знаменатель (4).Результат этого умножения затем вычитается из исходного числителя:

8 — (4 х 2) = 0

Шаг 3: Наша смешанная фракция

Мы упростили 8/4 до смешанного числа. Чтобы увидеть это, нам просто нужно сложить целое число вместе с нашим новым числителем и исходным знаменателем:

2 0 / 4

Вы, возможно, заметили здесь, что наш новый числитель на самом деле равен 0. Поскольку остатка нет, мы можем удалить всю дробную часть этого смешанного числа, оставив нам окончательный ответ:

2

Надеюсь, это руководство помогло вам понять, как преобразовать любую неправильную дробь в смешанную дробь с целым числом и правильной дробью.Вы можете использовать наш калькулятор ниже, чтобы узнать больше, но постарайтесь научиться делать это самостоятельно. Обещаю, это намного веселее, чем кажется!

Цитируйте, ссылайтесь или ссылайтесь на эту страницу

Если вы нашли этот контент полезным в своем исследовании, пожалуйста, сделайте нам большое одолжение и используйте приведенный ниже инструмент, чтобы убедиться, что вы правильно ссылаетесь на нас, где бы вы его ни использовали. Мы очень ценим вашу поддержку!

  • Что такое 8/4 как смешанное номер?

  • «Что такое 8/4 как смешанное число?». VisualFractions.com . По состоянию на 28 августа 2021 г. https://visualfractions.com/calculator/improper-to-mixed/what-is-8-4-as-a-mixed-number/.

  • «Что такое 8/4 как смешанное число?». VisualFractions.com , https://visualfractions.com/calculator/improper-to-mixed/what-is-8-4-as-a-mixed-number/. По состоянию на 28 августа 2021 г.

  • Что такое 8/4 как смешанное число ?. VisualFractions.com. Получено с https://visualfractions.com/calculator/improper-to-mixed/what-is-8-4-as-a-mixed-number/.

Калькулятор неправильной фракции в смешанную фракцию

Относительная дробь к смешанному числу

Введите неправильные числитель и знаменатель дроби

Центр прогнозирования штормов 27 августа 2021 г., дни 4-8 Прогноз суровой погоды



Прогноз суровой погоды на 4-8 день, опубликованный 27 августа 2021 г.
Обновлено: пт, 27 августа, 08:48:04 UTC 2021 г.
Для наилучшего просмотра включите в браузере JavaScript / активные сценарии.
D4 Пн, 30 августа 2021 г. — Вт, 31 августа 2021 г. D7 Чт, 02 сен 2021 — пт 03 сен 2021
D5 Вт, 31 августа 2021 г. — среда, 01 сентября 2021 г. D8 пт, 03 сен 2021 — сб, 04 сен 2021
D6 Ср, 01 сентября 2021 г. — чт, 02 сентября 2021 г. (Все дни действительны с 12 UTC до 12 UTC следующего дня)
Примечание. Район с суровой погодой, изображенный в период 4-8 дней, указывает на вероятность 15%, 30% или более сильных гроз в пределах 25 миль от любой точки.
СЛИШКОМ НИЗКАЯ ПРОГНОЗИРУЕМОСТЬ используется для обозначения возможности сильных штормов на основе некоторых сценариев модели. Однако местонахождение или возникновение сильных штормов вызывает сомнения из-за: 1) больших различий в детерминированных модельных решениях, 2) большого разброса в наставлениях по ансамблю и / или 3) минимальной непрерывности между запусками.
СЛИШКОМ НИЗКИЙ ПОТЕНЦИАЛ означает, что угроза организованных сильных штормов для региональной зоны представляется маловероятной (т.е., менее 15%) на прогнозный день.
   ZCZC SPCSWOD48 ВСЕ
   ACUS48 кВт 270846
   SPC AC 270846

   День 4-8 Конвективный прогноз
   Центр прогнозирования штормов NWS Norman OK
   0346 AM CDT, пт, 27 августа 2021 г.

   Действительно 301200Z - 041200Z

   ... ОБСУЖДЕНИЕ ...
   Среднесрочные рекомендации предполагают, что верхние гребни сохранятся.
   через юго-запад и на южные равнины, по крайней мере, в
   середина следующей недели.Ожидается, что тропический циклон Ида вызовет
   место выхода на берег в конце воскресенья / начале понедельника, перед тем как вернуться к
   TN Valley понедельник и вторник. Это может сопровождать некоторая угроза торнадо.
   системы, но по-прежнему остается высокая неопределенность в отношении общей
   эволюция этой системы и насколько плавучая среда ниже по течению
   над Юго-востоком / долиной Теннесси будет.

   Дальше на север навигация продолжает указывать на полосу умеренного
   усиленный поток через северный ярус КОНУСА. Коротковолновый
   желоб может переместиться с северо-востока Тихого океана через северный
   части Межгорного Запада во вторник и северные равнины
   Среда.В результате выброса этой волны может возникнуть серьезная угроза.
   на восток, но неопределенность относительно плавучести воздушных масс, а также
   общая неопределенность относительно общего предела эволюции коротковолнового излучения
   предсказуемость.

   ..Mosier .. 27.08.2021

   НАЖМИТЕ, ЧТОБЫ ПОЛУЧИТЬ ПРОДУКТ WUUS48 PTSD48

 

Кардиналы удваивают пивоваров в финале серии, 8-4

Box Score

Пивовары Милуоки и Св.Луи Кардиналс встретился в финале серии из трех игр в четверг, и с Брэндоном Вудраффом на холме казалось, что у пивоваров был хороший шанс завершить зачистку дороги на стадионе Буш. Во втором заходе подряд Брюэрс оказали Вудраффу сильную поддержку, но во втором выходе он не смог извлечь из этого выгоду.

«Сент-Луис» первым вышел на доску в первом фрейме, Томми Эдман сделал дубль, чтобы оторваться, а затем попытался забить дубль Нолана Аренадо.Затем подсчет очков прекращается до середины подачи. В четвертом Милуоки поставил неверное число против ветерана-левши Джона Лестера. Все началось с попадания в поле Ависейл Гарсия. Бросок Лоренцо Кейна поднял его на второе место, затем пошел Луис Уриас. Мэнни Пина удвоился, забив Гарсии и переместив Уриаса на третью базу, сравняв счет 1: 1. Вудрафф вышел на второе место, но Колтен Вонг выделился, чтобы вернуть домой двух бегунов и довести счет до 3-1. Вслед за Вонгом это был дубль Вилли Адамеса, который вывел KoWo на карту и довел игру до 4: 1.

Сент-Луис ответил большим собственным иннингом в пятом. Вудрафф отказался от первого сингла Эндрю Книзеру, но затем отказался от следующих двух участников. Однако Пол Гольдшмидт продолжил работу над синглом с двумя выходами. Затем выбил Arenado, проехав по Книзеру и сделав счет 4: 2. Следующим бьющим стал Тайлер О’Нил, который поднял висящий шар из парка в центр поля, чтобы сделать трехходовой джек, чтобы дать Сент-Луису преимущество 5-4. После этого в игру вступил Ларс Ноотбар, а за ним с соло-счетом 6-4.

Сент-Луис прибавил дистанцию ​​от Брента Сатера на шестом месте благодаря дублю RBI от Эдмана, и еще один в седьмом месте благодаря прогулке с загруженными базами Мигеля Санчеса. Хоби Милнер зафиксировал пять последних аутов без происшествий, но игра закончилась поражением со счетом 8-4. Начиная с пятого иннинга, пивовары поставили только одно тесто на основу — прогулка Ави Гарсиа в пятом, которая была стерта двойной игрой. Подача кардиналов выбила последних 13 игроков подряд.

Девять «Меномони Вэлли» возвращаются домой в пятницу, чтобы начать серию против «Вашингтон Нэшнлс».Первая подача запланирована на 7:10 вечера по центру, а левша Бретт Андерсон должен сразиться с еще не определенным стартовым подачей для Nats.

Защитные и повреждающие эффекты медиаторов стресса: центральная роль мозга

Разум включает в себя все тело и двустороннюю связь между мозгом и сердечно-сосудистой, иммунной и другими системами через нейронные и эндокринные механизмы. Стресс — это условие взаимодействия разума и тела, а также фактор проявления болезни, различающейся у разных людей.Не только драматические стрессовые события наносят свой урон, а, скорее, многие события повседневной жизни, которые повышают и поддерживают активность физиологических систем и вызывают лишение сна, переедание и другие вредные для здоровья поведения, вызывающие ощущение стресса. . » Со временем это приводит к износу организма, который называется «аллостатической нагрузкой», и отражает не только влияние жизненного опыта, но и генетическую нагрузку, индивидуальные привычки образа жизни, отражающие такие элементы, как диета, упражнения и злоупотребление психоактивными веществами. , а также опыт развития, который устанавливает пожизненные модели поведения и физиологической реактивности.Гормоны, связанные со стрессом и аллостатической нагрузкой, защищают организм в краткосрочной перспективе и способствуют адаптации посредством процесса, известного как аллостаз, но в долгосрочной перспективе аллостатическая нагрузка вызывает изменения в организме, которые могут привести к болезни. Мозг является ключевым органом стресса, аллостаза и аллостатической нагрузки, потому что он определяет, что является угрозой и, следовательно, вызывает стресс, а также определяет физиологические и поведенческие реакции. Области мозга, такие как гиппокамп, миндалевидное тело и префронтальная кора, реагируют на острый и хронический стресс, подвергаясь структурному ремоделированию, которое изменяет поведенческие и физиологические реакции.Трансляционные исследования на людях с помощью структурной и функциональной визуализации показывают меньший объем гиппокампа при состояниях, связанных со стрессом, таких как легкие когнитивные нарушения при старении и длительное тяжелое депрессивное заболевание, а также у людей с низкой самооценкой. Сообщается также об изменениях в миндалине и префронтальной коре. Помимо фармацевтических препаратов, подходы к облегчению хронического стресса и снижению аллостатической нагрузки и заболеваемости в современной жизни включают изменение образа жизни, а также политику правительства и бизнеса, которая улучшит способность людей снижать собственное бремя хронического стресса.

La mente se extiende a todo el cuerpo y a la comunicación двусторонний entre el cerebro y los aparatos cardiovascular, sistema inmunitario y otros a través de mecanismos neurales y endocrinos. El estrés es un estado de intercción entre la mente y el cuerpo e interviene en la expresión Diferente de la enfermedad entre las personas. No son únicamente los sucesos estresantes más llamativos los que cuestan más, sino más bien los múltiples Episodios de la vida cotidiana que elevan y sostienen la actividad de los sistemas fisiológicos yterminan una privación la saludión del suedude una sensación de «agotamiento por estrés».Con el tiempo, el organismo desgasta por la llamada «carga alostática», que reflection no sólo el impacto de las experiencecias vitales sino también de la carga genética, de los hábitos personales de vida -que traducen Aspectos como la alimentacicio, el ej abuso de sustancias- y de las experienceias del desarrollo que fijan los patrones duraderos de behaviora y reactividad fisiológica. Лас гормоны asociadas al estrés y a la carga alostática protegen el organismo a corto plazo y fomentan la adaption a través de un processso llamado alostasia pero, a la larga, la carga alostá-sicatermina cambios corporales que pueden caus.El cerebro es el órgano destinatario del estrés, la alostasia y la carga alostática, porque решить qué información resulta amenazadora y, en conscuencia, estresante ytermina, además, las respuestas fisiológicas y behavioruales. Las regiones cerebrales, como el hipocampo, la amígdala (núcleo amigdalino) y la corteza prefrontal, responseden al estrés agudo y crónico sometiéndose a una remodelación estructural que modifica las respuestas comportamen-taleslas y f. Los estudios translacionales de imágenes estructurales y funcionales de seres humanos revelan un volumen hipocámpico más reducido en los estados de estrés, por ejemplo una ligera alteración cognitiva con el envejecimiento y el trastorno que depresivas.Se han descrito también alteraciones de la amígdala y de la corteza prefrontal. Además del enfoque farmacéutico, las medidas para aliviar el estrés crónico y reducir la carga alostásica así como la incidencia de las enfermedades de la vida moderna se basan en cambios en los hábitos de vida y Capsule y políticas gubernamentales me yjoresaria la carga propia y crónica del estrés.

L’esprit implique le corps entier, et il existe une intercommunication entre le cerveau, les systèmes cardio-vasculaire, immique et d’autres, par des mécanismes neuraux et endocriniens.Стресс — это проявление единого взаимодействия между духом и корпусом и фактором выражения болезней, отличающихся друг от друга отдельными людьми. Les événements de la vie quotidienne, plus que les stress aigus ou intenses de la vie, élèvent и entretiennent les niveaux d’activité des systèmes Physics, Entraînant privation de sommeil, boulimie et autres comportements néfastes quent lee «Dépassé par les événements». Avec le temps, ceci entraîne une usure du corps appelée «charge allostatique», qui reflète non seulement l’impact des expériences de la vie mais aussi la charge génétique, les Habitudes de vie quotidienne com le régime, l’usageercice de drogues et le vécu au Cours du développement qui mettent en place tout au long de la vie des schémas de comportement et de reactivité Physiologique.Гормоны связаны со стрессом и за счет аллостатического протеже корпуса в суде и за адаптацию на длительный срок, соматические модификации, вносимые в счет аллостатического действия, вызывающего недомогание. Le cerveau est l’organe clé du stress, de l’allostase et de la charge allostatique car il determine ce qui est menaçant et donc stressant, ainsi que les réponses physical et comportementales. Les régions cérébrales com l’hippocampe, l’amygdale et le cortex prefrontal répondent au stress aigu et chronique par un remdelage структурно, что модифицирует физиологические и вспомогательные реакции.Реализованные исследования в рамках структурных и функциональных изображений в режиме реального времени, объем гиппокампа уменьшился в ситуациях стресса, связанных с недостатками когнитивных функций, депрессиями и отдельными продлениями. qui se sous-estiment Des altérations de l’amygdale et du cortex prefrontal sont aussi rapportées. Outre les traitements pharmologiques, lesgies du mode de vie, les politiques gouvernementales et de travail pouvant améliorer la Capacité Individual à réduire la charge de stress chronique de chacun, sont autant d’approches visant à alléger le stress chronique et réduire et allostatique l’incidence des maladies liées à la vie moderne.

GCF из 4 и 8

GCF 4 и 8 — это наибольшее возможное число, которое делит 4 и 8 в точности без остатка. Множители 4 и 8 равны 1, 2, 4 и 1, 2, 4, 8 соответственно. Существует 3 обычно используемых метода для определения GCF для 4 и 8 — разложение на простые множители, деление в столбик и алгоритм Евклида.

Что такое GCF для 4 и 8?

Ответ: GCF из 4 и 8 равно 4.

Пояснение:

GCF двух ненулевых целых чисел, x (4) и y (8), является наибольшим положительным целым числом m (4), которое делит как x (4), так и y (8) без остатка.

Методы определения GCF 4 и 8

Давайте рассмотрим различные методы определения GCF 4 и 8.

  • Метод первичной факторизации
  • Использование алгоритма Евклида
  • Список общих факторов

GCF из 4 и 8 по первичной факторизации

Разложение на простые множители 4 и 8 равно (2 × 2) и (2 × 2 × 2) соответственно. Как видно, у 4 и 8 есть общие простые множители. Следовательно, ОКФ 4 и 8 составляет 2 × 2 = 4.

GCF из 4 и 8 по алгоритму Евклида

Согласно алгоритму Евклида, GCF (X, Y) = GCF (Y, X mod Y)
где X> Y, а mod — оператор по модулю.

Здесь X = 8 и Y = 4

  • GCF (8, 4) = GCF (4, 8 mod 4) = GCF (4, 0)
  • GCF (4, 0) = 4 (∵ GCF (X, 0) = | X |, где X ≠ 0)

Следовательно, значение GCF для 4 и 8 равно 4.

GCF из 4 и 8 по общим факторам в листинге

  • Коэффициенты 4: 1, 2, 4
  • Факторы 8: 1, 2, 4, 8

Есть 3 общих множителя 4 и 8: 1, 2 и 4.Следовательно, наибольший общий делитель 4 и 8 равен 4.

☛ Также проверьте:

  1. Пример 1. Найдите GCF для 4 и 8, если их НОК 8.

    Решение:

    ∵ НОК × GCF = 4 × 8
    ⇒ GCF (4, 8) = (4 × 8) / 8 = 4
    Следовательно, наибольший общий делитель 4 и 8 равен 4.

  2. Пример 2: Найдите наибольшее число, которое точно делит 4 и 8.

    Решение:

    Наибольшее число, которое точно делит 4 и 8, является их наибольшим общим делителем, то есть GCF 4 и 8.
    ⇒ Множители 4 и 8:

    • Коэффициенты 4 = 1, 2, 4
    • Факторы 8 = 1, 2, 4, 8

    Следовательно, GCF 4 и 8 равно 4.

  3. Пример 3: Для двух чисел GCF = 4 и LCM = 8. Если одно число равно 4, найдите другое число.

    Решение:

    Дано: GCF (y, 4) = 4 и LCM (y, 4) = 8
    ∵ GCF × LCM = 4 × (y)
    ⇒ y = (GCF × LCM) / 4
    ⇒ y = (4 × 8) / 4
    ⇒ y = 8
    Следовательно, другой номер — 8.

перейти к слайду перейти к слайду

Готовы увидеть мир глазами математиков?

Математика лежит в основе всего, что мы делаем. Наслаждайтесь решением реальных математических задач на живых занятиях и станьте экспертом во всем.

Забронируйте бесплатную пробную версию Класс

FAQ по GCF 4 и 8

Что такое GCF для 4 и 8?

GCF из 4 и 8 равняется 4 . Чтобы вычислить наибольший общий делитель 4 и 8, нам нужно разложить на множители каждое число (множители 4 = 1, 2, 4; множители 8 = 1, 2, 4, 8) и выбрать наибольший множитель, который точно делит оба числа 4. и 8, т.е. 4.

Как найти GCF 4 и 8 методом длинного деления?

Чтобы найти GCF 4, 8, используя метод длинного деления, 8 делится на 4.Соответствующий делитель (4), когда остаток равен 0, принимается за GCF.

Если GCF 8 и 4 равно 4, найдите его НОК.

GCF (8, 4) × НОК (8, 4) = 8 × 4
Поскольку ВСК 8 и 4 = 4
⇒ 4 × НОК (8, 4) = 32
Следовательно, LCM = 8
☛ Калькулятор наибольшего общего коэффициента

Какие методы найти GCF 4 и 8?

Существует три обычно используемых метода для определения GCF, равного 4 и 8 .

  • Прайм-факторизацией
  • По длинному дивизиону
  • По алгоритму Евклида

Какова связь между LCM и GCF 4, 8?

Следующее уравнение может использоваться для выражения отношения между наименьшим общим кратным и GCF 4 и 8, т.е.е. GCF × LCM = 4 × 8.

Как найти GCF 4 и 8 с помощью простой факторизации?

Чтобы найти ОКФ 4 и 8, мы найдем факторизацию данных чисел на простые множители, то есть 4 = 2 × 2; 8 = 2 × 2 × 2.
⇒ Поскольку 2, 2 являются общими членами в разложении на простые множители 4 и 8. Следовательно, GCF (4, 8) = 2 × 2 = 4
☛ Что такое простое число?

4 Кодекс США § 8 — Уважение к флагу | Кодекс США | Закон США

Не следует проявлять неуважение к флагу Соединенных Штатов Америки; флаг не должен опускаться на кого-либо или предмет.Полковые знамена, государственные флаги, а также флаги организаций или учреждений должны быть окунуты в знак почета. а)

Флаг никогда не должен развешиваться с опущенным профсоюзом, кроме как в качестве сигнала о серьезном бедствии в случаях крайней опасности для жизни или имущества.

(б)

Флаг никогда не должен касаться чего-либо под ним, например земли, пола, воды или товаров.

(c)

Флаг никогда не следует носить горизонтально или горизонтально, он всегда должен быть поднятым и свободным.

(г)

Флаг никогда не должен использоваться как одежда, постельное белье или драпировка.Его никогда не следует украшать, отводить назад или вверх, складывать в складки, но всегда позволять свободно падать. Овсянка синего, белого и красного цветов, всегда расположенная так, чтобы синий сверху, белый посередине и красный снизу, использовались для покрытия стола докладчика, драпировки передней части платформы и для украшения в целом.

(е)

Флаг никогда не должен крепиться, выставляться, использоваться или храниться таким образом, чтобы его можно было легко порвать, испачкать или повредить каким-либо образом.

(е)

Флаг никогда не должен использоваться в качестве покрытия для потолка.

(грамм)

Флаг никогда не должен помещаться ни на нем, ни на какой-либо его части, или прикреплять к нему какие-либо знаки, знаки отличия, буквы, слова, фигуры, рисунки, изображения или рисунки любого характера.

(час)

Флаг никогда не должен использоваться как вместилище для приема, удержания, переноски или доставки чего-либо.

(я)

Флаг ни в коем случае не должен использоваться в рекламных целях. Его нельзя вышивать на таких изделиях, как подушки, носовые платки и т. П., Печатать или иным образом отпечатывать на бумажных салфетках или коробках или на чем-либо, что предназначено для временного использования и выбрасывать.Рекламные вывески не должны крепиться к жезлу или фалу, с которого развевается флаг.

(j)

Никакая часть флага не должна использоваться в качестве костюма или спортивной формы. Однако нашивка с флагом может быть прикреплена к форме военнослужащих, пожарных, полицейских и членов патриотических организаций. Флаг представляет собой живую страну и сам по себе считается живым существом. Таким образом, значок флажка на лацкане, являющийся копией, следует носить на левом лацкане рядом с сердцем.

(k)

Флаг, когда он находится в таком состоянии, что он больше не является подходящей эмблемой для демонстрации, должен быть уничтожен достойным образом, предпочтительно путем сжигания.

WALL · E (2008) — IMDb

Когда дело доходит до анимационных фильмов, Pixar — мастера своего дела. С момента своего дебюта в художественном фильме, великолепной «Истории игрушек», анимационная студия представила нам такие классические фильмы, как «Корпорация монстров», «Суперсемейка» и «В поисках Немо», фильм, который остается одним из самых продаваемых. DVD на все времена. Неужто пора поставить нам плохой фильм? Что ж, извините за разочарование, но «WALL-E» Pixar — не только одна из их величайших работ, но и одна из величайших анимаций, когда-либо созданных.

Фильм открывается удивительными кадрами пустынной, заваленной мусором, загрязненной Земли; смело темное отверстие для семейной функции. Однако именно в этой мрачной обстановке наш герой — возможно, более очаровательный, чем корзина, полная щенков и котят — впервые представлен нам. ВАЛЛ-И — гениальный персонаж; объединив элементы Джонни 5, Чарли Чаплина и мистера Бина, Эндрю Стэнтон (режиссер) и съемочная группа создали нечто, что, несомненно, войдет в историю с R2-D2 как одной из самых запоминающихся машин на экране.

Сейчас 22 век, и человечество покинуло Землю на гигантских космических крейсерах, ожидая, когда поверхность их планеты, наконец, снова станет пригодной для жилья. Прошло 700 лет, и WALL-E (подъемник для мусоросборников земного класса) — последний из группы роботов, оставшихся для очистки планеты. В тревожном эпизоде ​​наш герой отправляется домой через кучи мусора, нагруженные «мертвыми» ВАЛЛ-И … еще один знак того, что это не обычная еда Pixar, а что-то более значимое, более смелое, большее… взрослый в теме. И это первый акт фильма. ВАЛЛ-И в сопровождении своего домашнего таракана (о котором, как свидетельстве гения Pixar, мы стали заботиться так же сильно, как и о самом металлическом человеке) занимается своим распорядком дня. Именно в этой в основном немой части фильма мы полюбим ВАЛЛ-И. По мере того как он роется в человеческом мусоре, обнаруживая интерес к вещам, которые кажутся нам обыденными, мы обнаруживаем, что за все эти годы этот маленький робот разработал нечто такое, что заставляет его казаться нам чем-то большим, чем оживленный стук винтиков и ржавчины… личность. Его невероятно любопытный характер создает одни из самых восхитительных моментов, изображенных в фильме (включая такие моменты, как ВАЛЛ-И встречает ключи от машины и ВАЛЛ-И встречает … бюстгальтер). Мы углубились в эту интригующую личность, когда пригласили маленького парня в «дом», место для хранения всего его собранного хлама. Пока ВАЛЛ-И смотрит видеомагнитофон мюзикла «Привет, Долли!», Мы видим из его больших эмоциональных глаз и сцепленных рук, что он, душераздирающе, одинок в этом огромном мире.

Затем, на следующий день, когда ВАЛЛ-И занимается своим делом по изготовлению мусорных кубов, происходит нечто экстраординарное, как для нас, так и для ВАЛЛ-И. Космический корабль приземляется на поверхность, удерживая внутри себя футуристического дроида, похожего на Ipod, который разведывает землю в поисках растительной жизни … и единственной настоящей любви ВАЛЛ-И (оуу).

Эта история любви в конечном итоге прыгает с Земли в космос и на «Аксиому», огромный космический корабль, на котором большое количество американского населения — ленивое, тучное, потребительское неряха — изо дня в день совершает одни и те же повседневные дела.

alexxlab / 24.02.1974 / Разное

Добавить комментарий

Почта не будет опубликована / Обязательны для заполнения *